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Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 100ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 32M, MPN: S29GL256S10DHI010

EUR 6.17
1

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 110ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 64M, MPN: S29GL512S11DHIV10

EUR 7.57
1

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 100ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 64M, MPN: S29GL512S10DHI010

EUR 5.91
1

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 256Mbit, 32 M x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 100ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 32M, MPN: S29GL256S10DHI010

EUR 4.81
1

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 110ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 64M, MPN: S29GL512S11DHIV10

EUR 5.72
1

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches

Cypress Semiconductor Mémoire flash, 512Mbit, 64 Mb x 8 bits, CFI, BGA, 64 broches, Type de montage: CMS, Type de cellule: NOR, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Dimensions: 9 x 9 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 100ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de bits par mot: 8bit, Nombre de mots: 64M, MPN: S29GL512S10DHI010

EUR 7.57
1