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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX64N50Q3

EUR 11.21

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX64N50Q3

EUR 11.03

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX64N50Q3

EUR 11.21

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IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.16mm, Lunghezza: 19.96mm, MPN: IXFK64N60P3

EUR 12.21

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.16mm, Lunghezza: 19.96mm, MPN: IXFK64N50Q3

EUR 23.47

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 480 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH40N120C3D1

EUR 10.28

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 480 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXYH40N120C3D1

EUR 11.20

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N50Q3

EUR 23.48

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IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N60P3

EUR 11.71

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IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N60P3

EUR 13.29

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N50Q3

EUR 26.10

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 480 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH40N120C3D1

EUR 11.79

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IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-247