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IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA20I1200PB

EUR 4.05

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA20I1200PB

EUR 3.45

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 4.26

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.52

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 4.09

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.17

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 3.48

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 3.77

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 2.79

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93

1

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 327 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXTP75N10P

EUR 4.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXTP62N15P

EUR 4.35

1

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXTP75N10P

EUR 4.10

1

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP22N60P3

EUR 4.51

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.66mm, Larghezza: 4.82mm, Altezza: 16mm, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA20I1200PB

EUR 3.94

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

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IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.67

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.91

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IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 26 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro