IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F
IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 kW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 11, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 152 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF