IXYS MOSFET, canale N, 75 mΩ, 72 A, SOT-227B, Montaggio a pannello
IXYS MOSFET, canale N, 75 mΩ, 72 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN82N60P