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IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.35

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXDH20N120D1

EUR 6.91

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA27IF1200HJ

EUR 8.53

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA27IF1200HJ

EUR 9.90

1

IXYS MOSFET, canale N, 27 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 27 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX120N30P3

EUR 14.17

1

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,89 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.59mm, Lunghezza: 20.29mm, MPN: IXFB132N50P3

EUR 20.92

1

IXYS MOSFET, canale N, 19 mΩ, 150 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 19 mΩ, 150 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX150N30P3

EUR 12.07

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 25, Dimensioni: 82 x 37.4 x 17.1mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 37.4mm, MPN: MUBW15-12A6K

EUR 38.91

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 195 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA37IF1200HJ

EUR 10.47

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 25, Dimensioni: 82 x 37.4 x 17.1mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 37.4mm, MPN: MUBW15-12A6K

EUR 39.37

1

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,89 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 26.59mm, Lunghezza: 20.29mm, MPN: IXFB210N30P3

EUR 24.58

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 195 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA37IF1200HJ

EUR 9.23

1

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

IXYS MOSFET, canale N, 45 mΩ, 50 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 45 mΩ, 50 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 9, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 25mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MKE38RK600DFELB

EUR 19.13

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 290 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA55I1200HJ

EUR 12.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 290 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA55I1200HJ

EUR 14.20

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH32N170

EUR 19.15

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH24N170

EUR 14.87

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH6N170

EUR 10.47

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 27 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 39 mΩ, 132 A, PLUS264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 19 mΩ, 150 A, PLUS247, Su foro

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 19 A, canale N

IXYS MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 45 mΩ, 50 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 50 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 6 A, canale N, TO-247AD