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Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 50 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.14
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Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 50 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1.3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
1