KlikkMedia | Google Hirdetés X Online Marketing Tanácsadás

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D ROTATE KNOB 3D 2 GO KIT

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D ROTATE KNOB 3D 2 GO KIT, Para Usar Con: 2GO kits de sensor magnético 3D, MPN: ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1

EUR 34.45

1

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D Out of Shaft for 3D 2 GO

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D Out of Shaft for 3D 2 GO, Para Usar Con: Sensor magnético 3D 2GO, MPN: OUTOFSHAFTFOR3D2GOTOBO1

EUR 26.88

1

Infineon Kit de evaluación XMC 2 GO kit with XMC1100 de, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Kit de evaluación XMC 2 GO kit with XMC1100 de, con núcleo ARM Cortex M0, Tecnología: USB, Tipo de procesador: MCU, MPN: XMC KIT

EUR 5.95

1

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2 V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2 V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31

1

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55

1

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.14

1

Infineon MOSFET, IRFH5110TRPBF, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, PQFN

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, PQFN, MPN: IRFH5110TRPBF

EUR 1.47

1

Infineon Módulo MOSFET, FS03MR12A6MA1BBPSA1, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2

Infineon Módulo MOSFET, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: FS03MR12A6MA1BBPSA1

EUR 2636.48

1

Infineon Módulo MOSFET, FS03MR12A6MA1BBPSA1, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2

Infineon Módulo MOSFET, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: FS03MR12A6MA1BBPSA1

EUR 2958.86

1

Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4PBPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7, MPN: FP25R12W2T4PBPSA1

EUR 45.70

1

Infineon Transistor MOSFET, ISC030N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 179 A, 100 V, TDSON

Infineon Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 179 A, 100 V, TDSON, MPN: ISC030N10NM6ATMA1

EUR 2.94

1

Infineon MOSFET, IPP045N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 137 A., 100 V, TO-220

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 137 A., 100 V, TO-220, MPN: IPP045N10N3GXKSA1

EUR 2.90

1

Infineon Transistor MOSFET, ISC027N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 192 A, 100 V, TDSON

Infineon Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 192 A, 100 V, TDSON, MPN: ISC027N10NM6ATMA1

EUR 3.51

1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

EUR 96.81

1

Infineon Transistor MOSFET, ISC060N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 97 A, 100 V, TDSON

Infineon Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 97 A, 100 V, TDSON, MPN: ISC060N10NM6ATMA1

EUR 2.19

1

Infineon Módulo IGBT, FP25R12W1T7B11BPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY1B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY1B 7, MPN: FP25R12W1T7B11BPSA1

EUR 41.77

1

Infineon MOSFET, IPC90N04S5L3R3ATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 90 A, 40 V, SuperSO8 5x6, MPN: IPC90N04S5L3R3ATMA1

EUR 0.93

1

Infineon MOSFET, IPC100N04S52R8ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6, MPN: IPC100N04S52R8ATMA1

EUR 1.20

1

Infineon MOSFET, IPP80N06S2L07AKSA2, N-Canal-Canal, 80 A, 55 V, TO-220

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 55 V, TO-220, MPN: IPP80N06S2L07AKSA2

EUR 3.07

1

Infineon Transistor MOSFET, ISC230N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TDSON

Infineon Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TDSON, MPN: ISC230N10NM6ATMA1

EUR 1.09

1

Infineon MOSFET, IPC100N04S51R9ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6, MPN: IPC100N04S51R9ATMA1

EUR 1.48

1

Infineon MOSFET, IRF7469TRPBF, N-Canal-Canal, 9 A, 40 V, SO-8

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 40 V, SO-8, MPN: IRF7469TRPBF

EUR 0.93

1

Infineon MOSFET, IRF6665TRPBF, N-Canal-Canal, 19 A, 100 V, DirectFET(S)

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 19 A, 100 V, DirectFET(S), MPN: IRF6665TRPBF

EUR 1.14

1

Infineon MOSFET, IRFH5020TRPBF, N-Canal-Canal, 34 A, 200 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 34 A, 200 V, SuperSO8 5x6, MPN: IRFH5020TRPBF

EUR 1.95

1

Infineon Transistor MOSFET, ISZ230N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TSDSON

Infineon Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TSDSON, MPN: ISZ230N10NM6ATMA1

EUR 1.09

1

Performance Marketing Agency

Gain the Advantage with KlikkMedia

Marque

Couleur

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D ROTATE KNOB 3D 2 GO KIT

Infineon Placa de evaluación Sensor magnético 3D Out of Shaft for 3D 2 GO

Infineon Kit de evaluación XMC 2 GO kit with XMC1100 de, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, IRFH5110TRPBF, N-Canal-Canal, 63 A, 100 V, PQFN

Infineon Módulo MOSFET, FS03MR12A6MA1BBPSA1, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2

Infineon Módulo MOSFET, FS03MR12A6MA1BBPSA1, N/P-Canal, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2

Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4PBPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Transistor MOSFET, ISC030N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 179 A, 100 V, TDSON

Infineon MOSFET, IPP045N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 137 A., 100 V, TO-220

Infineon Transistor MOSFET, ISC027N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 192 A, 100 V, TDSON

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Transistor MOSFET, ISC060N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 97 A, 100 V, TDSON

Infineon Módulo IGBT, FP25R12W1T7B11BPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY1B 7

Infineon MOSFET, IPC90N04S5L3R3ATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, IPC100N04S52R8ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, IPP80N06S2L07AKSA2, N-Canal-Canal, 80 A, 55 V, TO-220

Infineon Transistor MOSFET, ISC230N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TDSON

Infineon MOSFET, IPC100N04S51R9ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, SuperSO8 5x6

Infineon MOSFET, IRF7469TRPBF, N-Canal-Canal, 9 A, 40 V, SO-8

Infineon MOSFET, IRF6665TRPBF, N-Canal-Canal, 19 A, 100 V, DirectFET(S)

Infineon MOSFET, IRFH5020TRPBF, N-Canal-Canal, 34 A, 200 V, SuperSO8 5x6

Infineon Transistor MOSFET, ISZ230N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 100 V, TSDSON