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Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA, MPN: TLE92466EDXUMA1

EUR 9.74

1

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA, Tensione di alimentazione massima: 4 → 40 V., MPN: TLE92466EDXUMA1

EUR 9.94

1

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA, Tensione di alimentazione massima: 4 → 40 V., MPN: TLE92466EDXUMA1

EUR 10.70

1

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

EUR 10.90

1

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

EUR 10.68

1

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

EUR 7.03

1

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 20.3mm, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.14

1

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.9mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.94

1

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.9mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.55

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.13mm, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.20

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.69

1

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFZ48VPBF

EUR 1.18

1

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFZ48VPBF

EUR 1.01

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 4.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS4127PBF

EUR 3.69

1

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS4127PBF

EUR 1.93

1

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin, Topologia: Con isolamento galvanico, Ponte: Half Bridge, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: 15V, CMOS, Dimensioni: 60.5 x 72 x 25mm, Lunghezza: 60.5mm, MPN: 2ED300C17-ST ROHS

EUR 210.20

1

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin, Topologia: Con isolamento galvanico, Ponte: Half Bridge, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: 15V, CMOS, Dimensioni: 60.5 x 72 x 25mm, Lunghezza: 60.5mm, MPN: 2ED300C17-ST ROHS

EUR 200.69

1

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin, Tensione di uscita: 650 V, Corrente di uscita: 6,1 A, Tempo di discesa: 30ns, Tipo di montaggio: Su foro, Topologia: Flyback, Dimensioni: 9.77 x 6.6 x 4.8mm, Duty cycle massimo: 72%, Lunghezza: 9.77mm, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 3.04

1

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP65R190C7FKSA1

EUR 3.58

1

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW65R190C7XKSA1

EUR 1.48

1

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin, Tensione di uscita: 650 V, Corrente di uscita: 6,1 A, Tempo di discesa: 30ns, Tipo di montaggio: Su foro, Topologia: Flyback, Dimensioni: 9.77 x 6.6 x 4.8mm, Duty cycle massimo: 72%, Lunghezza: 9.77mm, Controller PWM: Modalità corrente

EUR 2.60

1

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin, Metodo di controllo: Corrente, Topologia: Flyback, Tempo di salita: 30ns, Duty cycle massimo: 72%, Tipo di montaggio: Su foro, Corrente di uscita: 6,1 A, Tensione di uscita: 650 V, Dimensioni: 9.77 x 6.6 x 4.8mm, Lunghezza: 9.77mm

EUR 3.04

1

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP65R190C7FKSA1

EUR 3.23

1

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW65R190C7XKSA1

EUR 1.45

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin

Infineon Driver gate MOSFET 2ED300C17STROHSBPSA1, CMOS, 30 A, 16V, AG-EICE, 45-Pin

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon Regolatore PWM ICE3A1565FKLA1, 1, 22 V, 100 kHz, DIP, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro