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Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
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Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

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