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Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 50 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
1

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 50 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.14
1

Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166

Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166

Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: C166S V2, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 2,35 → 2,7 V (noyau), 4,4 → 5,5 V (E/S), CAN: 14 x 10 / 8 bits, Débit de données: 1Mbps, Dimensions: 14 x 14 x 1.4mm, MPN: XC164CS16F40FBBFXQMA1

EUR 13.90
1

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SPP15P10PLHXKSA1

EUR 1.70
1

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SPP15P10PLHXKSA1

EUR 1.88
1