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Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166

Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166

Infineon Microcontrôleur, 16bit, 2 ko (DPRAM), 2 ko (PSRAM), 4 ko (DSRAM) RAM, 128 Ko, 20MHz, TQFP 100, série XC166, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: C166S V2, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 2,35 → 2,7 V (noyau), 4,4 → 5,5 V (E/S), CAN: 14 x 10 / 8 bits, Débit de données: 1Mbps, Dimensions: 14 x 14 x 1.4mm, MPN: XC164CS16F40FBBFXQMA1

EUR 13.90
1

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SPP15P10PLHXKSA1

EUR 1.70
1

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, A-220 11,3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SPP15P10PLHXKSA1

EUR 1.88
1

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 104A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 104A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 104A, 1600V, 17 broches, Type de montage: Montage sur CI, Configuration: MOSFET simple plus, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 650A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 5mA, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Longueur: 107.5mm, Largeur: 45mm, MPN: DDB6U104N16RRBOSA1

EUR 82.75
1

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches, Type de montage: Montage sur CI, Configuration: IGBT simple plus, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 650A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.55V, Courant inverse crête: 5mA, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Longueur: 107.5mm, Largeur: 45mm, MPN: DDB6U100N16RRBOSA1

EUR 89.35
1

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches

Infineon Module de pont redresseur Triphasé, 100A, 1600V, 17 broches, Type de montage: Montage sur CI, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: IGBT simple plus, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 650A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.55V, Courant inverse crête: 5mA, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Longueur: 107.5mm, MPN: DDB6U100N16RRBOSA1

EUR 85.26
1