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Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.39

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 2.75

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 2.75

1

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.39

1

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: ARM Cortex M0, Type de mémoire programme: Flash, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.60

1

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: ARM Cortex M0, Type de mémoire programme: Flash, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.06

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 2.75

1

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ, Nombre de la Familia: XMC1000, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.06

1

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ, Nombre de la Familia: XMC1000, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: XMC1402Q048X0128AAXUMA1

EUR 2.60

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: HEXFET, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: HEXFET, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 3.00

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: HEXFET, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0058 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: HEXFET, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 3.00

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0058 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 3.00

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0058 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IRFS3307ZTRRPBF

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, Altezza: 4.83mm, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 120 A, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 120 A, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.83mm, MPN: AUIRFS3307Z

EUR 2.50

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 1.98

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.3V, Hauteur: 4.83mm, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 120 A, 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 120 A, 128 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.83mm, MPN: AUIRFS3307Z

EUR 2.50

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 4.83mm, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon Microcontrôleur, 32bit 128 Ko, 48MHz, VQFN 48, série XMC1000

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon Microcontrolador ARM Cortex M0 32bit 128 kB Flash, VQFN 48 pines 48MHZ

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRRPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 120 A, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 120 A, 128 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET