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Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
1

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, Micro, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.14
1

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 50 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.14
1

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal P,, Micro 4,3 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 50 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
1

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 4.3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 50 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1.3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.48
1

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRLML6401TRPBF, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 4,3 A, 12 V, 3-Pin, Micro HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 50 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLML6401TRPBF

EUR 0.14
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