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Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 26 V, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Altura: 0.76mm, Dimensiones: 4 x 3.15 x 0.76mm, Histéresis de Sensor Magnético Típico: 4,4 mT, MPN: TLV49611TBXALA1

EUR 0.26
1

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 26 V, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Altura: 0.76mm, Dimensiones: 4 x 3.15 x 0.76mm, Histéresis de Sensor Magnético Típico: 4,4 mT, MPN: TLV49611TBXALA1

EUR 0.26
1

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall

Infineon Sensor de efecto Hall, TLV4961-1TB, TO92S 3 pines Sensores de efecto Hall, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Punto Mínimo de Liberación de Sensor Magnético: 0.7 Mt, Punto de Funcionamiento Máximo de Sensor Magnético: 3,7 mT, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 26 V, Longitud: 4mm, Ancho: 3.15mm, Altura: 0.76mm, Dimensiones: 4 x 3.15 x 0.76mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Histéresis de Sensor Magnético Típico: 4,4 mT, MPN: TLV49611TBXALA1

EUR 0.52
1

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2 V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2 V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 1,5 A (canal N), -1,5 A (canal P), Tension Drain Source maximum: 20 V (canal N), -20 V (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.6 V, 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7 V, 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 1,5 A (canal N), -1,5 A (canal P), Tension Drain Source maximum: 20 V (canal N), -20 V (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.6 V, 1.2 V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7 V, 1.2 V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2 V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2 V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1