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Infineon IGBT, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, AG-PRIME3+

Infineon IGBT, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, AG-PRIME3+, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 kW, Configurazione: Dual, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: FF1800R17IP5BPSA1

EUR 1876.47

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Infineon IGBT, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, AG-PRIME3+

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EUR 1876.46

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 1,2 kA, canale N, PRIME2

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 1,2 kA, canale N, PRIME2, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Numero pin: 10, Configurazione transistor: Doppio, MPN: FF1200R12IE5PBPSA1

EUR 1130.79

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 1,8 kA, canale N, PRIME3+

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EUR 1825.04

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, PRIME3+

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EUR 1726.55

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 1,5 kA, canale N, PRIME3+

Infineon Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 1,5 kA, canale N, PRIME3+, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Numero pin: 10, Configurazione transistor: Doppio, MPN: FF1500R17IP5PBPSA1

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, PRIME3+

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 1,8 kA, canale N, PRIME3+

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 1,5 kA, canale N, PRIME3+

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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 1,2 kA, canale N, PRIME2

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