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Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.94
3

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS4127PBF

EUR 3.69
3

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 72 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS4127PBF

EUR 1.93
1

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 61 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.75mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 4.11
1

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.55
1

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 61 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.75mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.69
1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 72 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS4127PBF

EUR 1.93
1

Infineon MOSFET, IRFI4110GPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFI4110GPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 61 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 16.13mm, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.20
1

Infineon MOSFET, IRFZ48VPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFZ48VPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 72 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFZ48VPBF

EUR 1.01
1

Infineon MOSFET, IRFI4110GPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFI4110GPBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-220ABFP HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 61 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 4.11
1

Infineon MOSFET, IRFP4710PBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFP4710PBF, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 72 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.55
1