KlikkMedia | Google Hirdetés X Online Marketing Tanácsadás

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 161.83

1

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 161.83

1

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Módulo MOSFET, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 161.83

1

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 172.67

1

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 140.00

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 140.00

1

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5.15V, Serie: F3L11MR12W2M1, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.55

1

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V, Type de montage: CMS, Tension de seuil maximale de la grille: 5.15V, Série: F3L11MR12W2M1, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.55

1

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V, Type de montage: CMS, Tension de seuil maximale de la grille: 5.15V, Série: F3L11MR12W2M1, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.56

1

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5.15V, Serie: F3L11MR12W2M1, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.56

1

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Módulo MOSFET, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.15V, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.55

1

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Módulo MOSFET, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.15V, MPN: F3L11MR12W2M1B74BOMA1

EUR 176.56

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 172.67

1

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1, N-Canal, 100 A, 1200 V, Module, 31-Pines 7 Trifásico

Infineon IGBT, N-Canal, 100 A, 1200 V, Module, 31-Pines 7 Trifásico, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 140.00

1

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Módulo MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 172.67

1

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 20 mW, Nombre de transistors: 7, Type de montage: Montage sur châssis, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 142.85

1

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 20 mW, Nombre de transistors: 7, Type de montage: Montage sur châssis, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 140.00

1

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 0,016 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolSiC, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 176.56

1

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 0,016 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 20V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolSiC, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 188.36

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 7, Configurazione: Trifase, Tipo di package: Modulo, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 31, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 142.85

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 7, Configurazione: Trifase, Tipo di package: Modulo, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 31, MPN: FP100R12N2T7BPSA1

EUR 140.00

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 20V, Numero di elementi per chip: 4, Serie: CoolSiC, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 176.56

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 20V, Numero di elementi per chip: 4, Serie: CoolSiC, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 188.36

1

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Módulo MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.016 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 20V, Número de Elementos por Chip: 4, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 188.36

1

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Módulo MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.016 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 20V, Número de Elementos por Chip: 4, MPN: FF11MR12W1M1B11BOMA1

EUR 176.56

1

Performance Marketing Agency

Gain the Advantage with KlikkMedia

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET, Plateau 100 A 1200 V

Infineon Modulo MOSFET, 100 A, VASSOIO, Montaggio superficiale

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Módulo MOSFET, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, 100 A, 1.200 V, BANDEJA F3L11MR12W2M1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1, N-Canal, 100 A, 1200 V, Module, 31-Pines 7 Trifásico

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon IGBT, FP100R12N2T7BPSA1,, 100 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, Module 100 A 1200 V

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Module

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,016 Ω, 100 A, Modulo, Montaggio a pannello

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Módulo MOSFET, FF11MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC