Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, ECONO2
Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, ECONO2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 24, Velocità di switching: 1MHz, Dimensioni: 107.5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: F4-75R12KS4_B11