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Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1

EUR 6.07
1

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1

EUR 5.46
1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 6.34
1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 7.07
1

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 5.40
1

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 6.34
1

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, IPP030N10N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 7.07
1