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Infineon MOSFET, BSC036NE7NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple

Infineon MOSFET, BSC036NE7NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.3V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC036NE7NS3GATMA1

EUR 2.19
1

Infineon MOSFET, BSC036NE7NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple

Infineon MOSFET, BSC036NE7NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 75 V, 8-Pin, TDSON BSC036NE7NS3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.3V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC036NE7NS3GATMA1

EUR 3.51
1

Infineon MOSFET, BSC016N03MS G, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, BSC016N03MS G, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC016N03MS G

EUR 2.03
1

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1

EUR 6.07
1

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPP075N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 150 V, 3 + Tab-Pin, TO-220 IPP075N15N3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1

EUR 5.46
1

Infineon MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPD068N10N3GATMA1

EUR 1.60
1

Infineon MOSFET, IPD25CN10NGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple

Infineon MOSFET, IPD25CN10NGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 71 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPD25CN10NGATMA1

EUR 0.76
1

Infineon MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple

Infineon MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple, Tipo de Encapsulado: TO-252-3, Tipo de Montaje: SMD, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPD068N10N3GATMA1

EUR 2.54
1

Infineon MOSFET, IPD25CN10NGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple

Infineon MOSFET, IPD25CN10NGATMA1, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 35 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD25CN10N G Simple, Tipo de Encapsulado: TO-252-3, Tipo de Montaje: SMD, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 71 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPD25CN10NGATMA1

EUR 1.36
1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC016N03MS G

EUR 0.62
1