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Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 20.3mm, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.14

3

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.94

3

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.9mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP4710PBF

EUR 3.55

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.13mm, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.20

1

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFZ48VPBF

EUR 1.18

1

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFZ48VPBF

EUR 1.01

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 4.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.69

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 61 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16.13mm, MPN: IRFI4110GPBF

EUR 3.20

1

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Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Driver de solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A PG-DSO-36-72 36 pines

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Motor Driver, Single, PWM, PG-DSO-36-72, 36-Pin, 250mA

Infineon Controlador de motor, Único TLE92466EDXUMA1, PG-DSO-36-72 250mA 4 → 40 V. PWM

Infineon Controlador de motor, Único TLE92466EDXUMA1, PG-DSO-36-72 250mA 4 → 40 V. PWM

Infineon Controlador de motor, Único TLE92466EDXUMA1, PG-DSO-36-72 250mA 4 → 40 V. PWM

Infineon Driver de solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A PG-DSO-36-72 36 pines

Infineon Driver de solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A PG-DSO-36-72 36 pines

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon Driver per solenoide TLE92464EDXUMA1, PWM, 1,5 A, 4.5 → 5.5V, PG-DSO-36-72, 36-Pin

Infineon Driver de solénoïde TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A 4.5 → 5.5V, 36 broches, PG-DSO-36-72

Infineon Driver de solénoïde TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A 4.5 → 5.5V, 36 broches, PG-DSO-36-72

Infineon Driver de solénoïde TLE92464EDXUMA1, PWM 1,5 A 4.5 → 5.5V, 36 broches, PG-DSO-36-72

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 72 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 14 mΩ, 72 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 12 mΩ, 72 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220ABFP, Su foro

Infineon MOSFET canal N,, TO-220ABFP 72 A 100 V, 3 broches