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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 90, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -32 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, MPN: BCW29,215

EUR 0.03

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -32 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -300 mV, MPN: BCW29,215

EUR 0.04

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -32 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -300 mV, MPN: BCW29,215

EUR 0.04

1

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 20, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: BCW60B,215

EUR 0.11

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 110, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, MPN: BCW31

EUR 0.03

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 40, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, MPN: BCW60C

EUR 0.13

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60B,215

EUR 0.12

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60B,215

EUR 0.04

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Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: BUK9M24-60EX

EUR 0.47

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Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9M24-60EX

EUR 0.37

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Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9M24-60EX

EUR 0.75

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 250 mV, MPN: BCW31

EUR 0.02

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 250 mV, MPN: BCW31

EUR 0.01

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60C

EUR 0.15

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60C

EUR 0.10

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Nexperia MOSFET, canale N, 62 mΩ, 32 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 62 mΩ, 32 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 86 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN034-100PS,127

EUR 0.81

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Altezza: 1mm, MPN: BCW32,215

EUR 0.12

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Altezza: 1mm, MPN: BCW30,215

EUR 0.10

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 250 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60D,215

EUR 0.04

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 250 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 550 mV, MPN: BCW60D,215

EUR 0.12

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,3 V, MPN: BCW30,215

EUR 0.04

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,25 V, MPN: BCW32,215

EUR 0.04

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 32 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BC868-25,115

EUR 0.19

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -32 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BC869,115

EUR 0.36

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Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 32 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BC868-25,115

EUR 0.41

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Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 54 mΩ, 32 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 62 mΩ, 32 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT23, TO-236AB, 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 32 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor NPN, 3 Pin, SOT-89, 2 A, 20 V, Montaggio superficiale