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Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale, MPN: BUK98150-55A/CUF

EUR 0.49

1

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Materiale del transistor: Plastica, Serie: BUK98150, MPN: BUK98150-55A/CUF

EUR 0.28

1

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Materiale del transistor: Plastica, Serie: BUK98150, MPN: BUK98150-55A/CUF

EUR 0.50

1

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Altezza: 1.05mm, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.43

1

Nexperia MOSFET, canale N, 120 mΩ, 6 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 120 mΩ, 6 A, WLCSP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 8 V, Altezza: 0.16mm, MPN: PMCM4401VNEAZ

EUR 0.40

1

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: 20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 2.2mm, MPN: NX3020NAKS,115

EUR 0.04

1

Nexperia MOSFET, canale N, 31 mΩ, 5,1 A, TSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 31 mΩ, 5,1 A, TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 4,17 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, MPN: PMN35EN,115

EUR 0.15

1

Nexperia MOSFET, canale N, 6,5 Ω, 320 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 6,5 Ω, 320 mA, TSSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.6V, Tensione di soglia gate minima: 0.48V, Dissipazione di potenza massima: 990 mW, Tensione massima gate source: 20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Altezza: 1mm, MPN: BSS138BKS,115

EUR 0.10

1

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.65mm, MPN: PMPB11EN,115

EUR 0.38

1

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.82

1

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3020NAKS,115

EUR 0.07

1

Nexperia MOSFET, canale N, 11,3 mΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 11,3 mΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.9mm, MPN: PSMN9R0-25MLC,115

EUR 0.64

1

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.8V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.45mm, MPN: PHN210T,118

EUR 0.48

1

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3020NAKS,115

EUR 0.07

1

Nexperia MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 179 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.05mm, MPN: PSMN1R5-30YLC,115

EUR 1.61

1

Nexperia MOSFET, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO220, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO220, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.6V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 211 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Altezza: 4.7mm, MPN: PSMN2R8-40PS,127

EUR 1.71

1

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.43

1

Nexperia MOSFET, canale N, 6 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 6 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.65V, Dissipazione di potenza massima: 74 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Altezza: 1.05mm, MPN: PSMN3R5-30YL,115

EUR 0.49

1

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.65mm, MPN: PMPB20EN,115

EUR 0.42

1

Nexperia MOSFET, canale N, 18,4 mΩ, 76 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 18,4 mΩ, 76 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 4 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 106 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Altezza: 1.05mm, MPN: PSMN8R5-60YS,115

EUR 0.91

1

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV30UN2R

EUR 0.17

1

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV16XNR

EUR 0.17

1

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 6,94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 12 V, Altezza: 1mm, MPN: PMV20XNER

EUR 0.16

1

Nexperia MOSFET, canale N, 8,1 Ω, 335 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 8,1 Ω, 335 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.3V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 1,45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 10 V, Altezza: 1mm, MPN: BSH111BKR

EUR 0.11

1

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMPB11EN,115

EUR 0.45

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Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 0,161 O, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 120 mΩ, 6 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 31 mΩ, 5,1 A, TSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 6,5 Ω, 320 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 11,3 mΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 13 Ω, 180 mA, TSSOP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO220, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 6 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 19,5 mΩ, 7 A, DFN2020, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 18,4 mΩ, 76 A, LFPAK, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 100 mΩ, 5,4 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 38 mΩ, 7,2 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 8,1 Ω, 335 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale