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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX1029X,115

EUR 0.26
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.23
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.45
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.17
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.19
1

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 120 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 8 V, Longueur: 0.81mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMCM4401VNEAZ

EUR 0.40
1

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 120 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 8 V, Longueur: 0.81mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMCM4401VNEAZ

EUR 0.13
1