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ROHM MOSFET, HP8S36TB, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A

ROHM MOSFET, HP8S36TB, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A

ROHM MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 30 V, Tipo de Encapsulado: HSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 22 W, 29 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±128 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8S36TB

EUR 1.22
1

ROHM MOSFET, HP8S36TB, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, 30 V, 8-Pin, HSOP HP8S36

ROHM MOSFET, HP8S36TB, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, 30 V, 8-Pin, HSOP HP8S36

ROHM MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, 30 V, 8-Pin, HSOP HP8S36, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 22 W, 29 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±128 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8S36TB

EUR 0.77
1

ROHM MOSFET, HP8M31TB1, Dual, N/P-Canal, 8,5 (canal N) A; 8,5 (canal P) A, 60 V, 8-Pin, HSOP HP8M31

ROHM MOSFET, HP8M31TB1, Dual, N/P-Canal, 8,5 (canal N) A; 8,5 (canal P) A, 60 V, 8-Pin, HSOP HP8M31

ROHM MOSFET, Dual, N/P-Canal, 8,5 (canal N) A; 8,5 (canal P) A, 60 V, 8-Pin, HSOP HP8M31, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 73 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 (N Channel) V, 3 (P Channel) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Disipación de Potencia Máxima: 7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8M31TB1

EUR 2.05
1

ROHM MOSFET, HP8MA2TB1, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A

ROHM MOSFET, HP8MA2TB1, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A

ROHM MOSFET, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A, Tipo de Canal: N, P, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 15 (canal P) A; 18 (canal N) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 30 V, Tipo de Encapsulado: HSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Disipación de Potencia Máxima: 7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8MA2TB1

EUR 1.58
1