ROHM MOSFET, HP8S36TB, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, 30 V, 8-Pin, HSOP HP8S36
ROHM MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 27 (canal N) A; 80 (canal N) A, 30 V, 8-Pin, HSOP HP8S36, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 22 W, 29 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±128 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8S36TB