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Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 273 A @ 85C On-State (Avg. Max.)

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 273 A @ 85C On-State (Avg. Max.), MPN: SKKT 273/16 E

EUR 167.91

1

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 106 A @ +85C On-State (Avg. Max.)

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 106 A @ +85C On-State (Avg. Max.), MPN: SKKT 106/16 E

EUR 37.80

1

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 40 A @ +85C On-State (Avg. Max.)

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 40 A @ +85C On-State (Avg. Max.), MPN: SKKT 42/16 E

EUR 45.19

1

Semikron Dual Thyristor module, Tcase 85 C=95 amps, 1200 Vs, Case SemiPACK 1

Semikron Dual Thyristor module, Tcase 85 C=95 amps, 1200 Vs, Case SemiPACK 1, MPN: SKKT 92/12 E

EUR 43.39

1

Semikron Dual Thyristor module, Tcase 85 C=55 amps, 1200 Vs, Case SemiPACK 1

Semikron Dual Thyristor module, Tcase 85 C=55 amps, 1200 Vs, Case SemiPACK 1, MPN: SKKT 57/12 E

EUR 48.02

1

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 95 A @ +85C On-State (Avg. Max.); Case A 5 Case

Semikron Thyristor Module; Dual; 1600V; 95 A @ +85C On-State (Avg. Max.); Case A 5 Case, MPN: SKKT 92/16 E

EUR 36.17

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Dual Half Bridge (DHB), MPN: SKM400GB12T4

EUR 218.57

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Dual Half Bridge (DHB), MPN: SKM300GB12T4

EUR 296.51

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 125 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 125 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM100GB176D

EUR 83.97

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB125D

EUR 260.52

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 430 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 430 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM400GB176D

EUR 322.82

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 470 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 470 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM400GB126D

EUR 268.93

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB176D

EUR 182.83

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 195 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 195 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 29.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM145GB066D

EUR 65.97

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 232 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 232 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM150GB12T4

EUR 119.99

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM300GB125D

EUR 285.77

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM100GB12T4

EUR 78.72

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94.5 x 34.5 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34.5mm, MPN: SKM100GB125DN

EUR 156.65

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB126D

EUR 260.13

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB12E4

EUR 241.30

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 114 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 114 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM75GB12V

EUR 71.21

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a vite, Numero pin: 7, Velocità di switching: 12kHz, Configurazione transistor: Half Bridge, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: SKM400GB12E4

EUR 208.66

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM50GB12T4

EUR 99.47

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 115 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 115 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM75GB12T4

EUR 93.71

1

Semikron Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 265 A, canale N, SEMITRANS2

Semikron Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 265 A, canale N, SEMITRANS2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 94 x 34 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 34mm, MPN: SKM195GB066D

EUR 115.70

1

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