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Semikron Module thyristor dual, SKKT250/18E, 250A, 200mA, 1800V, SEMIPACK3, 7 broches

Semikron Module thyristor dual, SKKT250/18E, 250A, 200mA, 1800V, SEMIPACK3, 7 broches, Courant de surcharge: 9kA, Type de montage: Montage panneau, Tension de déclenchement de Grille maximum: 3V, Courant de maintien maximum: 500mA, Dimensions: 115 x 50 x 49mm, Température d'utilisation maximum: +130 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension de crête à l'état passant: 1.4V, MPN: SKKT 250/18E

EUR 357.35

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Semikron Module thyristor dual, SKKT 250/16E, 250A, 200mA, 1600V, A 73b, 7 broches

Semikron Module thyristor dual, 250A, 200mA, 1600V, A 73b, 7 broches, Courant de surcharge: 9000A, Type de montage: Montage panneau, Tension de déclenchement de Grille maximum: 3V, Courant de maintien maximum: 500mA, Dimensions: 115 x 50 x 52mm, Température d'utilisation maximum: +130 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension de crête à l'état passant: 1.4V, MPN: SKKT 250/16E

EUR 236.49

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Semikron Module thyristor dual, SKKT 273/16 E, 320A, 150mA, 1600V, A 43a, 7 broches

Semikron Module thyristor dual, 320A, 150mA, 1600V, A 43a, 7 broches, Courant de surcharge: 9500A, Type de montage: Montage panneau, Tension de déclenchement de Grille maximum: 2V, Courant de maintien maximum: 500mA, Dimensions: 115 x 50.3 x 52mm, Température d'utilisation maximum: +130 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension de crête à l'état passant: 1.45V, MPN: SKKT 273/16 E

EUR 223.74

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Dual Half Bridge (DHB), MPN: SKM400GB12T4

EUR 218.57

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Dual Half Bridge (DHB), MPN: SKM300GB12T4

EUR 296.51

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 470 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 470 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM400GB126D

EUR 268.93

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 430 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1700 V, IC 430 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM400GB176D

EUR 322.82

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB125D

EUR 260.52

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a vite, Numero pin: 7, Velocità di switching: 12kHz, Configurazione transistor: Half Bridge, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: SKM400GB12E4

EUR 208.66

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM300GB125D

EUR 285.77

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB12E4

EUR 241.30

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Dual Half Bridge (DHB), Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 7, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 61.4mm, MPN: SKM200GB126D

EUR 260.13

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Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 400 A, canale N, SEMITRANS3

Semikron Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 400 A, canale N, SEMITRANS3, Tensione massima gate emitter: 20V, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a vite, Numero pin: 7, Velocità di switching: 12kHz, Configurazione transistor: Half Bridge, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 30.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: SKM400GB125D

EUR 424.97

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