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Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: TSM4946DCS RLG

EUR 0.40
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM650N15CS RLG, N-Canal-Canal, 9 A, 150 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM650N15CS RLG, N-Canal-Canal, 9 A, 150 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 150 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 12,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1V, MPN: TSM650N15CS RLG

EUR 0.73
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 12,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1V, MPN: TSM120N06LCS RLG

EUR 0.44
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM4946DCS RLG

EUR 0.39
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM4946DCS RLG, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,5 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM4946DCS RLG

EUR 0.40
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 12,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 4.85mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM120N06LCS RLG

EUR 0.43
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM120N06LCS RLG, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 60 V, 8-Pin, SOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 12,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 4.85mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM120N06LCS RLG

EUR 0.44
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM1NB60CH C5G, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, TO-251 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 39 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM1NB60CH C5G

EUR 0.34
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2308CX RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2308CX RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 192 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2308CX

EUR 0.42
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2308CX RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2308CX RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET RFG, N-Canal-Canal, 3 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 192 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2308CX

EUR 0.41
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM10NC60CF C0G, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, ITO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM10NC60CF C0G, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, ITO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, ITO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 750 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM10NC60CF C0G

EUR 0.99
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM7N90CZ C0G, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM7N90CZ C0G

EUR 5.92
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60N380CI C0G, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, ITO-220S Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM60N380CI C0G, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, ITO-220S Simple

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, ITO-220S Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 33 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: TSM60N380CI C0G

EUR 2.73
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2306CX RFG, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2306CX RFG, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 94 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2306CX RFG

EUR 0.40
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2302CX RFG, N-Canal-Canal, 2,8 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2302CX RFG, N-Canal-Canal, 2,8 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 2,8 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 900 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2302CX RFG

EUR 0.27
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2312CX RFG, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2312CX RFG, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 51 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2312CX RFG

EUR 0.39
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2306CX RFG, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2306CX RFG, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 94 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2306CX RFG

EUR 0.39
1

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2312CX RFG, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, TSM2312CX RFG, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si

Taiwan Semiconductor MOSFET, N-Canal-Canal, 4,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 51 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TSM2312CX RFG

EUR 0.46
1