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Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1, Tipo de Encapsulado: MiniMELF, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.06

1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1, Tipo de Encapsulado: MiniMELF, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.17

1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1, Tipo de Encapsulado: MiniMELF, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Conteo de Pines: 2, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.06

1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1, Tipo de Encapsulado: MiniMELF, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Conteo de Pines: 2, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.09

1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 6%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 5mA, Impédance zener maximum: 15Ω, Courant de fuite inverse maximum: 100nA, Dimensions: 2.1 (Dia.) x 3.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: BZX55C10 R0

EUR 0.02

3

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 5.1V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.04

1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 5.1V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.14

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 15V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 15mA

EUR 0.03

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 10V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 25mA

EUR 0.17

1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 6%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 5mA, Impédance zener maximum: 30Ω, Courant de fuite inverse maximum: 100nA, Dimensions: 2.1 (Dia.) x 3.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: BZX55C15 R0

EUR 0.10

3

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 10V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.02

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 15V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 15mA

EUR 0.02

1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 15V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.02

1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C3V3 L1 +175 °C 500 mW 2μA 85Ω -65 °C Montaje superficial 3.3V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C3V3 L1 +175 °C 500 mW 2μA 85Ω -65 °C Montaje superficial 3.3V 1, Tipo de Encapsulado: MiniMELF, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 2µA

EUR 0.09

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 10V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 25mA

EUR 0.06

1

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1, Tipo de Encapsulado: SOD-123F, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.04

1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 15V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA, Diámetro: 2.1mm

EUR 0.03

1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 10V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA, Diámetro: 2.1mm

EUR 0.02

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 10V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 25mA, Diámetro: 2.6mm

EUR 0.17

1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 15V, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 15mA, Diámetro: 2.6mm

EUR 0.02

1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 5.1V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 5mA, Diámetro: 2.1mm

EUR 0.11

1

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1 -65

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1 -65, Tipo de Encapsulado: SOD-123F, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 5mA

EUR 0.12

1

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C100P R3 +175 °C 800 mW 1μA 200Ω -65 °C Montaje superficial 100V 1

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C100P R3 +175 °C 800 mW 1μA 200Ω -65 °C Montaje superficial 100V 1, Tipo de Encapsulado: Sub SMA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 4mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 1µA

EUR 0.12

1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 100V, dissip. ≤ 800 mW Sub SMA

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 100V, dissip. ≤ 800 mW Sub SMA, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 6%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 4mA, Impédance zener maximum: 200Ω, Courant de fuite inverse maximum: 1µA, Dimensions: 2.9 x 1.9 x 1.43mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: BZD27C100P

EUR 0.35

3

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C200P R3 +175 °C 800 mW 1μA 750Ω -65 °C Montaje superficial 200V 1

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C200P R3 +175 °C 800 mW 1μA 750Ω -65 °C Montaje superficial 200V 1, Tipo de Encapsulado: Sub SMA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 6%, Corriente de Prueba: 4mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 1µA

EUR 0.44

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V6 L1 +175 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C5V1 L1 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje superficial 5.1V 1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 1.6 (Dia.) x 3.7mm Simple BZV55C3V3 L1 +175 °C 500 mW 2μA 85Ω -65 °C Montaje superficial 3.3V 1

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C15 R0 +175 °C 500 mW 100nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C10 R0 +175 °C 500 mW 100nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C10 R0 +200 °C 1,3 W 500nA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.6 (Dia.) x 4.25mm Simple BZX85C15 R0G +200 °C 1,3 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.1 (Dia.) x 3.7mm Simple BZX55C5V1 R0 +175 °C 500 mW 100nA 35Ω -65 °C Montaje en orificio pasante

Taiwan Semiconductor 2.7 x 1.7 x 1mm Simple BZT52B7V5 RH +150 °C 500 mW 900nA 15Ω -65 °C Montaje superficial 7.5V 1 -65

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C100P R3 +175 °C 800 mW 1μA 200Ω -65 °C Montaje superficial 100V 1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 100V, dissip. ≤ 800 mW Sub SMA

Taiwan Semiconductor 2.9 x 1.9 x 1.43mm Simple BZD27C200P R3 +175 °C 800 mW 1μA 750Ω -65 °C Montaje superficial 200V 1