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Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15mm, Lunghezza: 10mm, MPN: TK72A12N1,S4X(S

EUR 1.56

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72A08N1,S4X(S

EUR 1.09

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72A12N1,S4X(S

EUR 1.36

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,4 mΩ, 72 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,4 mΩ, 72 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 225 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S

EUR 0.97

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,4 mΩ, 72 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 225 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S

EUR 1.26

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72A12N1,S4X(S

EUR 1.77

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,4 mΩ, 72 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,4 mΩ, 72 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 225 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK72E12N1,S1X(S

EUR 1.11

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Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK72A08N1,S4X(S

EUR 0.84

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EUR 0.91

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Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK35E08N1

EUR 0.54

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Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK35E08N1

EUR 0.69

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Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK35E08N1

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