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Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK9J90E

EUR 1.51

1

Toshiba Régulateur de tension linéaire, 9 V, 150mA, 0.5W, 4 broches HSOP, montage CMS

Toshiba Régulateur de tension linéaire, 9 V, 150mA, 0.5W, 4 broches HSOP, montage CMS, Régulation en ligne: 200 mV, Régulation de charge: 90 mV, Polarité: Positif, Courant de repos: 3.2mA, Type de sortie: Fixe, Dimensions: 4.6 x 2.5 x 1.6mm, MPN: TA78L09F(F)

EUR 0.32

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 19mm, Lunghezza: 15.9mm, MPN: 2SK3878(F)

EUR 1.98

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 1.64

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SK3878(F)

EUR 2.82

3

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 2.24

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20mm, Longueur: 15.5mm, MPN: TK9J90E

EUR 1.51

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 19mm, Longueur: 15.9mm, MPN: 2SK3878(F)

EUR 1.98

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 2.24

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 1.64

1

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Livello di ingresso: CMOS, TTL, Corrente massima di uscita ad alto livello: -8mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensioni: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.27

1

Toshiba MOSFET canal P,, TO-220SIS 9 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal P,, TO-220SIS 9 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 170 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TJ9A10M3,S4Q(M

EUR 0.36

1

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP, Funzione logica: Bus Transceiver, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Livello di ingresso: CMOS, TTL, Corrente massima di uscita ad alto livello: -8mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensioni: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.29

1

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP, Funzione logica: Bus Transceiver, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Livello di ingresso: CMOS, TTL, Corrente massima di uscita ad alto livello: -8mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensioni: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.12

1

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Nivel de Entrada: CMOS|TTL, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -8mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensiones: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.29

1

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Nivel de Entrada: CMOS|TTL, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -8mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensiones: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.27

1

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Nivel de Entrada: CMOS|TTL, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -8mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 10.5 ns @ 50 pF, Dimensiones: 6.5 x 4.4 x 1mm

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20mm, Longitud: 15.5mm, MPN: TK9J90E

EUR 1.51

1

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 2.24

1

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK9J90E

EUR 1.64

1

Toshiba MOSFET, 2SK3878(F), N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN 2SK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 150000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 19mm, Longitud: 15.9mm, MPN: 2SK3878(F)

EUR 1.98

1

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 9, Polarité: Inversion, Niveau d'entrée: CMOS, TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 10.5 ns @ 50 pF, Standard automobile: AEC-Q100, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 1mm, MPN: 74VHCT540AFT

EUR 0.27

1

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches, Nombre d'éléments par circuit: 9, Polarité: Inversion, Niveau d'entrée: CMOS, TTL, Courant de sortie niveau haut maximum: -8mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 10.5 ns @ 50 pF, Standard automobile: AEC-Q100, Dimensions: 6.5 x 4.4 x 1mm, MPN: 74VHCT540AFT

EUR 0.12

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Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba Régulateur de tension linéaire, 9 V, 150mA, 0.5W, 4 broches HSOP, montage CMS

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba MOSFET canal P,, TO-220SIS 9 A 100 V, 3 broches

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba AEC-Q100 Ricetrasmettitore di bus 74VHCT540AFT, 9, 74VHCT, 8-Bit, Invertente, 20-Pin, TSSOP

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba AEC-Q100 Transceptor de bus Transceptor de bus 74VHCT540AFT, 74VHCT 9 8 bits Inversión TSSOP 20 pines

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK9J90E, N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, 2SK3878(F), N-Canal-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN 2SK Simple Si

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches

Toshiba Transceiver de bus 74VHCT, TSSOP, CMS, 8 bits, 20 broches