Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale
Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)