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Vishay MOSFET, canale N, 64 mΩ, 47 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 64 mΩ, 47 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 357 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIHG47N60E-GE3

EUR 9.28

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Vishay MOSFET, canale N, 64 mΩ, 47 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 64 mΩ, 47 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 357 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.7mm, Lunghezza: 15.87mm, MPN: SiHG47N60E-GE3

EUR 8.51

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Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 357 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIHG47N60E-GE3

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Vishay MOSFET, SIHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 64 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIHG47N60E-GE3

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Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 357 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.7mm, Longueur: 15.87mm, MPN: SiHG47N60E-GE3

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Vishay MOSFET, SiHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 64 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.7mm, Longitud: 15.87mm, MPN: SiHG47N60E-GE3

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Vishay MOSFET, canale N, 64 mΩ, 47 A, TO247AC, Su foro

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Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET, SIHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 47 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET, SiHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si