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Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 40 V, Tipo de Encapsulado: SO-8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

EUR 0.72
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

EUR 0.84
1

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 46,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 0.7V, MPN: SISC06DN-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

EUR 0.40
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.79
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.41
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 0.7V, MPN: SIRC06DP-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 46,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SISC06DN-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 46,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SISC06DN-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIRC06DP-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIRC06DP-T1-GE3

EUR 0.26
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZ350DT-T1-GE3

EUR 1.11
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.75mm, MPN: SiZ350DT-T1-GE3

EUR 0.85
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.75mm, MPN: SiZ348DT-T1-GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZ348DT-T1-GE3

EUR 1.00
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ348DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZ348DT-T1-GE3

EUR 0.55
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiZ350DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiZ350DT-T1-GE3

EUR 0.52
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), –12 V (canal 2), –16 V (canal 1), Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96
1