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onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bit, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1.7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Longitud: 2.9mm, Ancho: 1.6mm, Altura: 0.9mm, Dimensiones: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

EUR 0.17
1

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, 5 pines SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bit, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1.7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Dimensiones: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.18
1

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2,5 V, Longitud: 10.16mm, Ancho: 7.11mm, Altura: 4.95mm, Dimensiones: 10.16 x 7.11 x 4.95mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.55
1

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bit, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1.7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Dimensiones: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.14
1

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 37.5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 6.82
1

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 2.64
1

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 37.5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 3.90
1

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 3.62
1

onsemi MOSFET, FDC6305N, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDC6305N, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 128 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 960 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDC6305N

EUR 0.52
1

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Longitud: 3mm, Ancho: 2mm, Altura: 0.5mm, Dimensiones: 3 x 2 x 0.5mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

EUR 1.68
1

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, 131072 x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines UDFN, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Dimensiones: 3 x 2 x 0.5mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 1.88
1

onsemi MOSFET, FDC6305N, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDC6305N, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 2,7 A, 20 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 128 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 960 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDC6305N

EUR 0.22
1

onsemi MOSFET, HUF75329D3ST, N-Canal-Canal, 20 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, HUF75329D3ST, N-Canal-Canal, 20 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) UltraFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 20 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) UltraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 128 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 7.49mm, MPN: HUF75329D3ST

EUR 0.81
1

onsemi MOSFET, NVMFS5C426NLT1G, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple

onsemi MOSFET, NVMFS5C426NLT1G, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 128 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 1.12
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVMJS1D3N04CTWG, N-Canal-Canal, 235 A, 40 V, 8-Pin, LFPAK Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVMJS1D3N04CTWG, N-Canal-Canal, 235 A, 40 V, 8-Pin, LFPAK Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 235 A, 40 V, 8-Pin, LFPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 128 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVMJS1D3N04CTWG

EUR 0.83
1

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01WI-G, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01WI-G, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01WI-G, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Longitud: 5mm, Ancho: 4mm, Altura: 1.5mm, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: CAT24M01WI-GT3

EUR 0.69
1

onsemi MOSFET, NVMFS5C426NLT1G, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple

onsemi MOSFET, NVMFS5C426NLT1G, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 237 A, 40 V, 5-Pin, DFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 128 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 2.32
1

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01XI, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01XI, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC

onsemi Memoria EEPROM CAT24M01XI, 1MB, 128K x, 8bit, Serie I2C, 400ns, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Longitud: 5.33mm, Ancho: 5.38mm, Altura: 1.78mm, Dimensiones: 5.33 x 5.38 x 1.78mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: CAT24M01XI-T2

EUR 1.42
1