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onsemi MOSFET, NTTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi MOSFET, NTTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NTTFS6H850NTAG

EUR 1.11
1

onsemi MOSFET, NVMFD5C668NLT1G, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN

onsemi MOSFET, NVMFD5C668NLT1G, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 57,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVMFD5C668NLT1G

EUR 1.11
1

onsemi MOSFET, NVMFD5C668NLT1G, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN

onsemi MOSFET, NVMFD5C668NLT1G, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 68 A, 60 V, 8-Pin, DFN, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 57,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVMFD5C668NLT1G

EUR 1.78
1

onsemi MOSFET, NTTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi MOSFET, NTTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NTTFS6H850NTAG

EUR 2.01
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS6H850NTAG

EUR 0.67
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H850NTAG, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 68 A, 80 V, 8-Pin, WDFN NVTFS6H850N Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS6H850NTAG

EUR 1.00
1

onsemi MOSFET, FDPF680N10T, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si

onsemi MOSFET, FDPF680N10T, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 68 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 24 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDPF680N10T

EUR 1.59
1

onsemi MOSFET, FDPF680N10T, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si

onsemi MOSFET, FDPF680N10T, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F PowerTrench Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 68 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 24 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDPF680N10T

EUR 1.59
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS5C453NLWFTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS5C453NLWFTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS5C453NLWFTAG

EUR 0.46
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H854NTAG, N-Canal-Canal, 44 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS6H854NTAG, N-Canal-Canal, 44 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 44 A, 80 V, 8-Pin, WDFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS6H854NTAG

EUR 0.86
1

onsemi MOSFET, FDMA1032CZ, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDMA1032CZ, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 68 mΩ, 95 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 1400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Altura: 0.75mm, Longitud: 2mm, MPN: FDMA1032CZ

EUR 0.78
1

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS5C453NLWFTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVTFS5C453NLWFTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple

onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN NVTFS5C453NL Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS5C453NLWFTAG

EUR 0.94
1

onsemi MOSFET, NTTFS5C453NLTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN Simple Si

onsemi MOSFET, NTTFS5C453NLTAG, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 107 A, 40 V, 8-Pin, WDFN Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NTTFS5C453NLTAG

EUR 0.78
1