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onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 37,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 6.82
1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 2.64
1

onsemi MOSFET, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 2.32
1

onsemi Memoria EEPROM I2C, da 1kbit, PDIP, Su foro, 8 pin

onsemi Memoria EEPROM I2C, da 1kbit, PDIP, Su foro, 8 pin

onsemi Memoria EEPROM I2C, da 1kbit, PDIP, Su foro, 8 pin, Interfacce: Seriale I2C, Organizzazione: 128 x 8 bit, Tensione di alimentazione operativa minima: 2,5 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Numero di bit per parola: 8bit, Lunghezza: 10.16mm, Larghezza: 7.11mm, Altezza: 4.95mm, Dimensioni: 10.16 x 7.11 x 4.95mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: CAT24C21LI

EUR 0.55
1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 1.12
1

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75329D3ST

EUR 0.52
1

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: HUF75329D3ST

EUR 1.09
1

onsemi MOSFET AEC-Q101 ON Semiconductor NVMJS1D3N04CTWG 1, canale N, LFPAK, 8 Pin Singolo

onsemi MOSFET AEC-Q101 ON Semiconductor NVMJS1D3N04CTWG 1, canale N, LFPAK, 8 Pin Singolo

onsemi MOSFET AEC-Q101 ON Semiconductor NVMJS1D3N04CTWG 1, canale N, LFPAK, 8 Pin Singolo, Corrente massima continuativa di drain: 235 A, Tensione massima drain source: 40 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 1,3 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Tensione massima gate source: ±20 V

EUR 1.45
1

onsemi Memoria EEPROM Microwire, da 1kbit, TDFN, SMD, 8 pin

onsemi Memoria EEPROM Microwire, da 1kbit, TDFN, SMD, 8 pin

onsemi Memoria EEPROM Microwire, da 1kbit, TDFN, SMD, 8 pin, Interfacce: Seriale Microwire, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Organizzazione: 128 x 8 bit, Tensione di alimentazione operativa minima: 1,8 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Numero di bit per parola: 8bit, Lunghezza: 3.1mm, Larghezza: 2.1mm, Altezza: 0.75mm, Dimensioni: 3.1 x 2.1 x 0.75mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Tempo di accesso casuale massimo: 250ns, MPN: CAT93C46VP2I-GT3

EUR 0.38
1

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Organizzazione: 128 x 8 bit, Tensione di alimentazione operativa minima: 1,7 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Numero di bit per parola: 8bit, Dimensioni: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q100, Data Retention: 100anno, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.18
1

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Organizzazione: 128 x 8 bit, Tensione di alimentazione operativa minima: 1,7 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Numero di bit per parola: 8bit, Lunghezza: 2.9mm, Larghezza: 1.6mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q100, Data Retention: 100anno, Massima temperatura operativa: +85 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.17
1

onsemi Memoria EEPROM seriale I2C, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale I2C, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin

onsemi Memoria EEPROM seriale I2C, da 1kbit, SOT-23, SMD, 5 pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Organizzazione: 128 x 8 bit, Tensione di alimentazione operativa minima: 1,7 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 5,5 V, Numero di bit per parola: 8bit, Dimensioni: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q100, Data Retention: 100anno, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.14
1