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onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

EUR 4.16

1

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN, Processore: Microcontrollore, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

EUR 3.20

1

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN, Processore: Microcontrollore, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

EUR 4.62

1

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±25V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20 x 5 x 26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 8.74

1

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±25V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20 x 5 x 26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 7.53

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: FDC5612

EUR 0.57

1

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±25V, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 20mm, Larghezza: 5mm, Altezza: 26mm, Dimensioni: 20 x 5 x 26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 7.86

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onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.05mm, Lunghezza: 5.1mm, MPN: FDMS86202

EUR 3.14

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5612

EUR 0.28

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5612

EUR 0.69

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onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMS86202

EUR 3.67

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 368 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCH47N60NF

EUR 10.55

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: FDD3860

EUR 1.10

1

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1, Funzione logica: Registro a scorrimento, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Modalità operativa: Seriale, Tensione di alimentazione operativa minima: -0,5 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 18 V, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Direzione: Unidirezionale, Massima temperatura operativa: 125 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tipo di reset: Asincrono

EUR 1.34

1

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1, Funzione logica: Registro a scorrimento, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Modalità operativa: Seriale, Tensione di alimentazione operativa minima: -0,5 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 18 V, Dimensioni: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Direzione: Unidirezionale, Massima temperatura operativa: 125 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, Tipo di reset: Asincrono

EUR 1.42

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDD3860

EUR 1.29

1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDD3860

EUR 0.60

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onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMS86202

EUR 1.95

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 368 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCH47N60NF

EUR 12.23

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 368 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.82mm, Lunghezza: 15.87mm, MPN: FCH47N60NF

EUR 12.23

1

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0, Tecnologia: Ricetrasmettitore ASK e FSK, MPN: AXM0F343-64-915-1-GEVK

EUR 322.00

1

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0, Tecnologia: Ricetrasmettitore ASK e FSK, MPN: AXM0F343-64-868-1-GEVK

EUR 322.00

1

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 8,25 kB, Tensione di alimentazione operativa tipica: 3 V, Risoluzione ADC: 10bit, ADC: 1 (2 x 10 bit), Flusso dati: 125kbit/s, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 3.92

1

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 8,25 kB, Tensione di alimentazione operativa tipica: 3 V, ADC: 2 x 10 bit, Flusso dati: 125kbit/s, Dimensioni: 7 x 5 x 0.95mm, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 4.62

1

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 8,25 kB, Tensione di alimentazione operativa tipica: 3 V, ADC: 2 x 10 bit, Flusso dati: 125kbit/s, Dimensioni: 7 x 5 x 0.95mm, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 3.15

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onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

onsemi System-On-Chip ON Semiconductor AXM0F343-64-1-TX40, MCU Ricetrasmettitore ASK e FSK, Tastierino esposto 40 VFQFN

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 64 A, canale N, TO-264

onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1

onsemi Shift Register MC14557BDWG, stadi 64, CMOS, SOIC W, 16-Pin 1

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 29 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 13,2 mΩ, 64 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 64 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0

onsemi Scheda di sviluppo controller Evaluation Kit ON Semiconductor, CPU ARM 32-bit Cortex-M0

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz

onsemi Microcontrollore, MCU 8052, QFN, AX8052, 40 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 1.05GHz