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onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: MCU 8052, Taille de la mémoire programme: 64 Ko, Taille de la RAM: 8,25 Ko, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 3 V, Résolution CAN: 10bit, CAN: 1 (2 x 10 bits), Débit de données: 125kbit/s, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 3.92

1

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, MPN: AXM0F343-64-1-TX40

EUR 4.16

1

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-64-1-TX40

EUR 3.20

1

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi Système sur puce, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN, Unité de process: Microcontrôleur, Type de montage: CMS, MPN: AXM0F343-64-1-TX40

EUR 4.62

1

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 8.74

1

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 7.53

1

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches, Fonction logique: Registre à décalage, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: -0,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 18 V, Dimensions: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Température d'utilisation maximum: 125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Type de Reset: Asynchrone, MPN: MC14557BDWG

EUR 1.42

1

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches, Fonction logique: Registre à décalage, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: -0,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 18 V, Dimensions: 10.45 x 7.6 x 2.4mm, Température d'utilisation maximum: 125 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Type de Reset: Asynchrone, MPN: MC14557BDWG

EUR 1.34

1

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Type de montage: Traversant, Longueur: 20mm, Largeur: 5mm, Hauteur: 26mm, Dimensions: 20 x 5 x 26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGL40N120ANDTU

EUR 7.86

1

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: MCU 8052, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 3 V, CAN: 2 x 10 bits, Débit de données: 125kbit/s, Dimensions: 7 x 5 x 0.95mm, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 3.15

1

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: MCU 8052, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 3 V, CAN: 2 x 10 bits, Débit de données: 125kbit/s, Dimensions: 7 x 5 x 0.95mm, MPN: AX8052F143-3-TX40

EUR 4.62

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS86202

EUR 3.14

1

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC, Type de mémoire: Non volatile, Type de montage: CMS, Nombre de broches: 20, Type d'alimentation: Simple, Tension d'alimentation asymétrique typique: 2,5 → 6 V, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT5221WI-10-T1

EUR 1.96

1

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC, Type de mémoire: Non volatile, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 20, Type d'alimentation: Simple, Tension d'alimentation asymétrique typique: 2,5 → 6 V, Dimensions: 6.6 x 4.5 x 1.05mm, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT5221WI-10-T1

EUR 2.75

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS86202

EUR 1.95

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS86202

EUR 3.67

1

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit, Technologie: Transceiver ASK et FSK, Cœur du circuit: ARM 32-bit Cortex-M0, MPN: AXM0F343-64-868-1-GEVK

EUR 322.00

1

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit, Technologie: Transceiver ASK et FSK, Cœur du circuit: ARM 32-bit Cortex-M0, MPN: AXM0F343-64-915-1-GEVK

EUR 322.00

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 4.3 A 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 4.3 A 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 1.6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC5612

EUR 0.57

1

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FDD3860

EUR 1.10

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 368 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.82mm, Longueur: 15.87mm, MPN: FCH47N60NF

EUR 12.23

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 368 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FCH47N60NF

EUR 12.23

1

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDD3860

EUR 1.29

1

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 368 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FCH47N60NF

EUR 10.55

1

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 64 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDD3860

EUR 0.60

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi Système sur puce, AXM0F343-64-1-TX40, Transceiver ASK et FSK, Plaque exposée 40-VFQFN

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches

onsemi Série CMOS, Unidirectionnel 64 bit SOIC W 16 broches

onsemi IGBT, FGL40N120ANDTU,, 64 A, 1200 V, TO-264, 3 broches, Simple

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi Microcontrôleur, 16bit, 8,25 Ko RAM, 64 Ko, 1.05GHz, QFN 40, série AX8052

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC

onsemi Potentiomètre numérique, CAT5221WI-10-T, 10kΩ, Série-I2C, Linéaire, 64 positions, SOIC

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 64 A 120 V, 8 broches

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit

onsemi Carte de développement de contrôleur ON Semiconductor Evaluation Kit

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 4.3 A 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 46 A 600 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 29 A 100 V, 3 broches