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onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 37,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 6.82

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 37,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 3.90

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 37,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.3V, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 5.81

1

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.3V, MPN: FDP4D5N10C

EUR 2.56

1

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 2.64

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 3.62

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT25010LI-G, 1Kbit, SPI PDIP, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Kbit, SPI PDIP, 8 broches, 8bit, Type de montage: Traversant, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 10.16mm, Largeur: 7.11mm, Hauteur: 4.95mm, Dimensions: 10.16 x 7.11 x 4.95mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT25010LI-G

EUR 0.43

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 1.82

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 3mm, Largeur: 2mm, Hauteur: 0.5mm, Dimensions: 3 x 2 x 0.5mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT24M01HU5I-GT3

EUR 1.68

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 5.33mm, Largeur: 5.38mm, Hauteur: 1.78mm, Dimensions: 5.33 x 5.38 x 1.78mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT24M01XI-T2

EUR 1.42

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 128 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC6305N

EUR 0.39

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT93C46VP2I-GT3, 1Kbit, Série-Microwire TDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Kbit, Série-Microwire TDFN, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 3.1mm, Largeur: 2.1mm, Hauteur: 0.75mm, Dimensions: 3.1 x 2.1 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 250ns, MPN: CAT93C46VP2I-GT3

EUR 0.38

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01WI-GT3, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 5mm, Largeur: 4mm, Hauteur: 1.5mm, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT24M01WI-GT3

EUR 0.69

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24C21LI, 1Kbit, Série-I2C PDIP, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Kbit, Série-I2C PDIP, 8 broches, 8bit, Type de montage: Traversant, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 10.16mm, Largeur: 7.11mm, Hauteur: 4.95mm, Dimensions: 10.16 x 7.11 x 4.95mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: CAT24C21LI

EUR 0.55

1

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 2.9mm, Largeur: 1.6mm, Hauteur: 0.9mm, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.17

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 128 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDC6305N

EUR 0.22

1

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit, Série-I2C SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, Série-I2C SOT-23, 5 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.14

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 128 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDC6305N

EUR 0.52

1

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.18

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01WI-GT3, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 400ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de mots: 128K, MPN: CAT24M01WI-GT3

EUR 1.02

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 3 x 2 x 0.5mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 400ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de mots: 131072, MPN: CAT24M01HU5I-GT3

EUR 1.88

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 5.33 x 5.38 x 1.78mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 400ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de mots: 128K, MPN: CAT24M01XI-T2

EUR 2.12

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS5C426NLT1G

EUR 2.32

1

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 20 A 55 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 20 A 55 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 26 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 7.49mm, MPN: HUF75329D3ST

EUR 0.81

1

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI-T2, 1Mbit, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, 1Mbit, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 5.33 x 5.38 x 1.78mm, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 400ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Nombre de mots: 128K, MPN: CAT24M01XI-T2

EUR 1.47

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi Mémoire EEPROM, CAT25010LI-G, 1Kbit, SPI PDIP, 8 broches, 8bit

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi Mémoire EEPROM, CAT93C46VP2I-GT3, 1Kbit, Série-Microwire TDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01WI-GT3, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24C21LI, 1Kbit, Série-I2C PDIP, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit, Série-I2C SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 2,7 A 20 V, 6 broches

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01WI-GT3, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01HU5I-GT3, 1Mbit, Série-I2C UDFN, 8 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI, 1Mo, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit

onsemi MOSFET canal N,, DFN 237 A 40 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 20 A 55 V, 3 broches

onsemi Mémoire EEPROM, CAT24M01XI-T2, 1Mbit, Série-I2C SOIC, 8 broches, 8bit