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onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.18
3

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP

onsemi Memoria EEPROM CAT24C21LI, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 2,5 → 5,5 V, 8 pines PDIP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2,5 V, Longitud: 10.16mm, Ancho: 7.11mm, Altura: 4.95mm, Dimensiones: 10.16 x 7.11 x 4.95mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.55
1

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, CAT24AA01TDI-GT3, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit

onsemi Mémoire EEPROM en série, 1Kbit SOT-23, 5 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Organisation: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,7 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Longueur: 2.9mm, Largeur: 1.6mm, Hauteur: 0.9mm, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 100an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: CAT24AA01TDI-GT3

EUR 0.17
3

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23

onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM serie CAT24AA01TDI-GT3, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 5 pines SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bit, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1.7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Dimensiones: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.14
1

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-220F 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 37,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 3.90
1

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 2.64
3

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, FDPF4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220F Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 37.5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDPF4D5N10C

EUR 3.90
1

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 3.62
1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-220 128 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDP4D5N10C

EUR 3.62
1

onsemi ON Semiconductor, NVMJS1D3N04CTWG

onsemi ON Semiconductor, NVMJS1D3N04CTWG

onsemi ON Semiconductor, Courant continu de Drain maximum: 235 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de boîtier: LFPAK, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 8, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 128 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMJS1D3N04CTWG

EUR 1.45
3