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onsemi MOSFET, FCH041N60E, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm, MPN: FCH041N60E

EUR 10.48

1

onsemi MOSFET, FCH041N60F, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm, MPN: FCH041N60F

EUR 10.58

1

onsemi MOSFET, FCH041N60E, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH041N60E

EUR 11.01

1

onsemi MOSFET, FCH041N60F, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH041N60F

EUR 12.29

1

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 12,5 W, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD136G

EUR 14.34

2

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD788G

EUR 14.34

2

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 15 W, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD787G

EUR 13.82

2

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches, MPN: FCH029N65S3-F155

EUR 14.30

1

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD441G

EUR 16.68

1

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD680AG

EUR 17.89

2

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD678G

EUR 14.99

2

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD237G

EUR 15.84

2

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches, MPN: NTHL160N120SC1

EUR 11.67

1

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA38N30

EUR 15.42

2

onsemi MOSFET Transistor & Diode canal N,, A-247 31 A 1200 V, 3 broches

onsemi MOSFET Transistor & Diode canal N,, A-247 31 A 1200 V, 3 broches, MPN: NTHL080N120SC1A

EUR 11.30

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches, MPN: NTHL019N65S3H

EUR 17.56

1

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 235 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.9 x 9.19mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.9mm, MPN: FDP18N50

EUR 13.70

2

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.2 x 5 x 18.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 16.2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 5mm, MPN: FDA59N30

EUR 18.06

2

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V c.c., Dimensions: 10.63 x 4.9 x 16.12mm, MPN: MJF6388G

EUR 18.30

1

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 333 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 9.28mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.53mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.83mm, MPN: FDP075N15A-F102

EUR 19.63

2

onsemi Transistor, PNP Simple, 50 mA, -50 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 50 mA, -50 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Tension Emetteur Base maximum: -3 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 20 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,3 V c.c., MPN: MMBT5087LT1G

EUR 15.03

2

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-225, 80 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-225, 80 V c.c.,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 36 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V c.c., Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 7.8 x 3 x 11.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Configurazione: Single, MPN: BD441G

EUR 16.68

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, FCH041N60E, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCH041N60F, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCH041N60E, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCH041N60F, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 80 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, A-247 29 A 1200 V, 3 broches

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches

onsemi MOSFET Transistor & Diode canal N,, A-247 31 A 1200 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, A-247 75 A 650 V, 3 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, TO-3P, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 10 A c.c., 100 V c.c. Simple, A-220, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 50 mA, -50 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-225, 80 V c.c.,, Montaggio su foro