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onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26

onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26, Tensione massima gate emitter: ±20.0V, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Su foro, MPN: NXH35C120L2C2SG

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onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26

onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26, Tensione massima gate emitter: ±20.0V, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Su foro, MPN: NXH35C120L2C2SG

EUR 107.20

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20.0V, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: NXH35C120L2C2SG

EUR 107.20

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20.0V, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: NXH35C120L2C2SG

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onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26

onsemi Modulo IGBT, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6