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onsemi MOSFET, FCH130N60, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 278 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm, MPN: FCH130N60

EUR 5.09

1

onsemi MOSFET, FCH104N60F, N-Canal-Canal, 37 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 37 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 104 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH104N60F

EUR 5.76

1

onsemi MOSFET, FCH041N60F, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH041N60F

EUR 9.58

1

onsemi MOSFET, FCH043N60, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 43 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH043N60

EUR 9.91

1

onsemi MOSFET, FCH041N65F, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCH041N65F, N-Canal-Canal, 76 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH041N65F_F155

EUR 7.41

1

onsemi MOSFET, FCH043N60, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 43 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH043N60

EUR 9.21

1

onsemi MOSFET, FCH130N60, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 278 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH130N60

EUR 5.09

1

onsemi MOSFET, FCH043N60, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 43 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm, MPN: FCH043N60

EUR 9.21

1

onsemi MOSFET, FCH041N60E, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH041N60E

EUR 9.47

1

onsemi MOSFET, FCH104N60, N-Canal-Canal, 37 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 37 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 104 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH104N60

EUR 5.21

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onsemi 3 bits SOIC 8 broches

onsemi 3 bits SOIC 8 broches, Type d'alimentation: Simple, Tension d'alimentation asymétrique typique: 3 → 5,5 V, Gain en tension maximum: 20dB, Type de montage: CMS, Courant d'alimentation maximum: 42 mA, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 4mm, MPN: MC100EP16VADG

EUR 6.42

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onsemi MC100EP16VADG, 3 bits SOIC 8 pines

onsemi MC100EP16VADG, 3 bits SOIC 8 pines, Tipo de Fuente de Alimentación: Único, Tensión de Alimentación Única Típica: 3 → 5,5 V, Ganancia Máxima de Tensión: 20dB, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente de Alimentación Máxima: 42 mA, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 4mm

EUR 6.42

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