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onsemi Placa de evaluación Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board - D-STPR-GEVK

onsemi Placa de evaluación Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board - D-STPR-GEVK, Para Usar Con: Driver de motor de paso a paso, Dispositivo mostrado: AMIS30543C5431RG, MBRS360BT3G, MMBT2222ALT1G, PCA9655EMTTXG

EUR 52.40

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onsemi Scheda di valutazione per Azionamento motore passo-passo Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board

onsemi Scheda di valutazione per Azionamento motore passo-passo Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board, Dispositivo completo: AMIS30543C5431RG, MBRS360BT3G, MMBT2222ALT1G, PCA9655EMTTXG, MPN: D-STPR-GEVK

EUR 52.40

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onsemi Carte d'évaluation Driver de moteur pas-à-pas AMIS30543C5431RG, MBRS360BT3G, MMBT2222ALT1G, PCA9655EMTTXG

onsemi Carte d'évaluation Driver de moteur pas-à-pas AMIS30543C5431RG, MBRS360BT3G, MMBT2222ALT1G, PCA9655EMTTXG, Nom du kit: Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board, MPN: D-STPR-GEVK

EUR 52.40

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onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0PTG

EUR 74.78

1

onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0PTG

EUR 74.80

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onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Configurazione: Dual, Configurazione transistor: Doppio, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Lunghezza: 66.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0PTG

EUR 63.88

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onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG

EUR 71.03

1

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Configurazione transistor: Doppio, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG

EUR 65.70

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onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST, Configurazione: Dual, Configurazione transistor: Doppio, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 22, Dissipazione di potenza massima: 186 W, Dimensioni: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Lunghezza: 66.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG

EUR 60.66

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onsemi Scheda di valutazione per Azionamento motore passo-passo Dual Stepper Motor Driver Shield Evaluation Board

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onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

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onsemi Modulo IGBT, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

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