DiodesZetex MOSFET DMC2057UVT-7 2, canale N, P, TSOT-26, 6 Pin
DiodesZetex MOSFET DMC2057UVT-7 2, canale N, P, TSOT-26, 6 Pin, Corrente massima continuativa di drain: 2,6 A ((stato) canale P), 3,3 A ((fisso) canale P), 3,5 A ((stato) canale N), 4 A ((fisso) canale N), Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 160 (PChannel) mΩ, 91 (NChannel) mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V, Tensione di soglia gate minima: 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V, Dissipazione di potenza massima: 1,1 W, Tensione massima gate source: ±12 V (canale N), ±8 V (canale P), Altezza: 0.9mm, Lunghezza: 3mm
DiodesZetex MOSFET, DMC2057UVT-7 Dual N/P-Canal, 6-Pin, TSOT-26
DiodesZetex MOSFET Dual N/P-Canal, 6-Pin, TSOT-26, Tipo de Canal: N, P, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 2.6 ((State) PChannel) A, 3.3 ((Steady) PChannel) A, 3.5 ((State) NChannel) A, 4 ((Steady) NChannel) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 20 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 (PChannel) mΩ, 91 (NChannel) mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V, Disipación de Potencia Máxima: 1.1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 (N-Channel) V, ±8 (P-Channel) V, Altura: 0.9mm, Longitud: 3mm, MPN: DMC2057UVT-7