Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 1 mΩ, 80 A, 1212, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 1 mΩ, 80 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +16 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiSS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix MOSFET, SiSS02DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 80 A, 25 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si
Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 25 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.2V, Disipación de Potencia Máxima: 65,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiSS02DN-T1-GE3