Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale
Semelab MOSFET, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 70 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 7V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.18mm, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D1011UK
Semelab MOSFET, D1011UK, N-Canal-Canal, 5 A, 70 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si
Semelab MOSFET, N-Canal-Canal, 5 A, 70 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 7V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 2.18mm, Longitud: 4.06mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: D1011UK